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BSS127
0.030
100
V DS = 10V
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
10
0.000
0
2
4 6 8
10
1
1
2 3 4
5
1000
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 1 Typical Output Characteristics
250
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 10V
200
T A =85 ° C
T A =125 ° C
T A =150 ° C
150
100
T A =-55 ° C
T A =25 ° C
100
50
10
0
5 10 15 20 25
30
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
4
3.5
3
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Figure 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
I D = 250 μ A
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4 On-Resistance Variation with Temperature
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 25 ° C
2.5
10
T A = 85 ° C
2
T A = -55 ° C
1.5
1
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 6 Diode Forward Voltage vs. Current
BSS127
Document number: DS35476 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2013
? Diodes Incorporated
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